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インテルとマイクロンは、現行のNANDフラッシュストレージより1,000倍高速な新しい「3D XPoint」メモリソリューションを発表した。
2015年7月28日午後6時55分（太平洋標準時）
インテルは、マイクロン社との共同開発により、コンピュータストレージ技術における新たなブレークスルーを発表しました。この技術は、現代のソリッドステートドライブ（SSD）の基盤となっている現世代のNANDフラッシュチップの1,000倍の速度を実現します。「3D XPoint」（クロスポイント）と呼ばれるこの技術は、1989年以来初めて開発された新しいタイプの不揮発性メモリです。
驚くべきことに、3D XPointは開発中の単なる理論上の製品でも、現在のプロジェクトの最終目標でもありません。すでに量産段階にあり、2016年に発売される予定です。Intelによると、この技術はリアルタイムの疾病追跡から、GPUに搭載すれば8K対応ゲーミングPCまで、多岐にわたる新たなアプリケーションを実現するとのことです。
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将来のMacは、新しいIntel/Micronテクノロジーのおかげで最大10TBのSSDを搭載できる可能性がある
SSDは高速ですが、金属製の回転式ドライブと比べると依然として高価で、今日のMacのストレージ容量は以前のモデルよりも少なくなっています。例えば、ハードドライブ搭載のクラシックな13インチMacBook Proを1100ドルで購入すれば、500GBのストレージが手に入ります。一方、エントリーレベルのRetinaモデル（1300ドル）では、SSDストレージはわずか128GBです。
インテルとマイクロンが発表した新しい3D NAND技術により、この状況は一変するかもしれない。この技術により、既存のドライブと同じスペースに、はるかに大きなストレージ容量を収容できるようになる。PC World の報道によると、フラッシュセルを最大32層まで積み重ねることで、通常価格の高いチップでも、同じサイズのチップで3倍の容量を実現できるという 。
標準の 2.5 インチ SATA ドライブの場合、最大 10 TB のスペースを意味します。ほとんどのラップトップで使用される M.2 ドライブ タイプの場合、3D NAND により容量が最大 3.5 TB まで増加します。
この技術は以前にも約束されていた――サムスンは2013年に24層3D NANDを実演した――が、IntelとMicronは、メーカー各社が今年後半に新しいチップを購入できるようになると発表している。もちろん、Appleはストレージ容量に関してそれほど寛大ではないので、期待しすぎない方がいいかもしれない。
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DDR4 RAMのおかげで、より高速なMacBookとより長いバッテリー寿命が期待できます
Matt Margolis 氏は、Apple が今年発売する MacBook の RAM を DDR3 から DDR4 に切り替え、パフォーマンスの向上とバッテリー寿命の改善が期待されると予測しています。
AppleのRAMメーカーの一つであるMicron社によると、DDR3の帯域幅は17GB/秒程度で上限に達し、DDR4は2015年までにこれを倍増させることを目指しているとのことです。
iPhoneの登場以来、業界は2.6 GB/秒のLPDDR1から8.5 GB/秒のLPDDR2、そして17 GB/秒のLPDDR3へと進化を遂げ、現在ではこの技術が量産段階にあるハイエンドデバイスに採用されています。DRAMの帯域幅は、需要に応えるため、世代ごとにほぼ倍増しています。
次世代の低消費電力DRAM（LPDRAM）（LPDDR4とも呼ばれる）は、電力中立性を維持しながらLPDDR3の帯域幅を2倍にすることで、これらの制約に対処します。例えば、LPDDR4はx64メモリサブシステムで34GB/秒の総帯域幅を目標としており、LPDDR3の帯域幅目標の2倍となります。
同社はバッテリー寿命の改善に関する具体的な目標は明らかにしていないが、アクティブモードとスタンバイモードの両方で消費電力を削減することを目指していると述べている。
マーゴリス氏は、DDR4 RAM が将来の iPhone や iPad にも搭載される可能性があると示唆しています。
